La méthode la plus simple pour produire du carbure de silicium consiste à faire fondre du sable de quartz et du carbone, comme le charbon, à des températures élevées - pouvant atteindre 2 500 degrés Celsius. Les versions plus foncées et plus courantes du carbure de silicium contiennent souvent des impuretés de fer et de carbone, mais les cristaux de SiC pur sont incolores et se forment lorsque le carbure de silicium se sublime à 2 700 degrés Celsius. Une fois chauffés, ces cristaux sont déposés sur du graphite à une température plus basse selon un procédé connu sous le nom de méthode Lely.
Méthode Lely: Dans ce procédé, un creuset en granit est chauffé à très haute température, généralement par induction, pour sublimer la poudre de carbure de silicium. La tige de graphite à basse température se trouve dans un mélange gazeux, permettant au carbure de silicium pur de précipiter et de former des cristaux.
Dépôt chimique en phase vapeur: Comme alternative, les fabricants cultivent du SiC cubique en utilisant le dépôt chimique en phase vapeur, qui est couramment utilisé dans les processus de synthèse à base de carbone et est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. Dans cette méthode, un mélange chimique spécial de gaz est introduit dans un environnement sous vide et combiné avant d'être déposé sur un substrat.
Les deux méthodes de production de plaquettes en carbure de silicium nécessitent d’énormes quantités d’énergie, d’équipement et de connaissances pour réussir.