Dans les applications électroniques et semi-conducteurs, les principaux avantages du SiC sont :
Conductivité thermique élevée 120-270 W/mK
Faible coefficient de dilatation thermique 4.0x10^-6/ degré
Densité de courant maximale élevée
La combinaison de ces trois caractéristiques confère au SiC une conductivité électrique supérieure, notamment par rapport au silicium, le cousin le plus populaire du SiC. Les caractéristiques matérielles du SiC le rendent très avantageux pour les applications à haute puissance où un courant élevé, une température élevée et une conductivité thermique élevée sont nécessaires.
Ces dernières années, le SiC est devenu un acteur incontournable de l'industrie des semi-conducteurs, alimentant des MOSFET, des diodes Schottky et des modules de puissance destinés à des applications à haute puissance et hautes performances. Bien qu'ils soient plus chers que les MOSFET en silicium, qui sont généralement limités à une tension de claquage de 900 V, le SiC permet une tension de seuil de près de 10 kV.
Le SiC présente également de très faibles pertes de commutation et peut maintenir des fréquences de fonctionnement élevées, ce qui lui permet d'atteindre une efficacité inégalée à ce jour, en particulier dans les applications fonctionnant à des tensions supérieures à 600 volts. Lorsqu'ils sont correctement utilisés, les dispositifs SiC peuvent réduire les pertes du système convertisseur et onduleur de près de 50 %, la taille de 300 % et le coût global du système de 20 %. Cette réduction de la taille globale du système rend le SiC extrêmement utile dans les applications sensibles au poids et à l'espace.